日本莎姆克PECVD等离子体增强化学气相沉积系统介绍

等离子体CVD

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是通过将活性气体变成等离子体状态，在目标基材上产生活性自由基和离子，使目标基材发生化学反应而形成薄膜的技术。在化合物半导体和硅半导体的制造过程中，用于沉积作为钝化膜的氮化硅薄膜（SiN）和作为层间绝缘膜的氧化硅薄膜（SiO₂）。

日本莎姆克PECVD等离子体增强化学气相沉积系统是由日本莎姆克株式会社生产的设备。

等离子体增强型CVD设备 PD-2201LC节省空间的生产系统

PD-2201LC 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。

该系统在节省空间的前提下提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的不错选择，具有异的重复性。

主要特点和点

加工范围：ø220 mm (ø3" x 5, ø4" x 3, ø8" x 1)

异的均匀性和应力控制

卓越的工艺稳定性和可重复性

坚固的系统，设计低的运行/维护成本

用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储

PD-2201LC设计时尚、节省空间，只需设计小的洁净室空间

双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制

应用

SiH4-SiNx

SiH4-SiO2

液体前驱体(SN-2)SiNx。

TEOS-SiO2

等离子体增强型CVD设备 PD-220NL紧凑的研发用负载锁定系统

PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。

该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的不错选择。

主要特点和点

加工范围：ø220 mm (ø3" x 5, ø4" x 3, ø8" x 1)

异的均匀性和应力控制

卓越的工艺稳定性和可重复性

坚固的系统，设计低的运行/维护成本

用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。

PD-220NL设计时尚、紧凑，只需设计小的洁净室空间。

双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制。
 

应用

SiH4-SiNx

SiH4-SiO2

液体前驱体(SN-2)SiNx。

TEOS-SiO2
 

等离子体增强型CVD设备 PD-3800L批量加工设备

PD-3800L是一种能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的锁载等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统。

该系统由于采用了大型反应室，并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理，因此产量较高。在直径360mm的区域内可以沉积出具有异的厚度均匀性和应力控制的薄膜，具有异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的不错选择，具有异的重复性。

主要特点和点

加工范围：ø360 mm (ø3" x 9, ø4" x 6, ø6" x 3)

异的均匀性和应力控制

卓越的工艺稳定性和可重复性

坚固的系统，设计低的运行/维护成本

用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。
 

应用

SiH4-SiNx

SiH4-SiO2

液体前驱体(SN-2)SiNx。

TEOS-SiO2

选项

自动传送装置(从盒式装载到ø360毫米的托架上)